規(guī)格型號(hào)：75549260
頻率：8~150MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：FMI晶振,FMXMC3S2晶振,FMXM2C3S2118HJA-10.000M-CM晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高...

FMI晶振,FMXMC3S2晶振,FMXM2C3S2118HJA-10.000M-CM晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

我們的石英晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品解決方案針對(duì)工業(yè)控制,能源探索和生產(chǎn),航空電子和太空,無(wú)線系統(tǒng)(XBee等),智能公用事業(yè),先進(jìn)的高速4G網(wǎng)絡(luò)和固態(tài)存儲(chǔ),極低功耗和電池供電關(guān)鍵應(yīng)用解決方案.
環(huán)境政策
作為晶體和振蕩器產(chǎn)品的制造商,FMI致力于保護(hù)全球環(huán)境,并相信環(huán)境可持續(xù)性在良好的商業(yè)實(shí)踐中起著關(guān)鍵作用.我們將繼續(xù)制定和維護(hù)計(jì)劃和程序,以便在我們的所有業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)中保持環(huán)保意識(shí).請(qǐng)?jiān)诖颂幉榭碏MI的完整環(huán)境政策聲明.
頻率管理使命宣言
頻率管理|INTERNATIONAL[FMI]在頻率控制設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造方面提供卓越的解決方案,同時(shí)提供業(yè)內(nèi)已知的最高質(zhì)量的客戶服務(wù)質(zhì)量.
我們專注于優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,定制解決方案以及從概念到交付的快速周轉(zhuǎn).我們的專業(yè)技術(shù)人員提供最佳設(shè)計(jì)解決方案,為高科技市場(chǎng)的客戶提供長(zhǎng)期價(jià)值,包括(但不限于)通信,商業(yè)空間,石油鉆探,地?zé)?工業(yè),高可靠性,軍事和航空航天.
FMI晶振作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專屬供應(yīng)商,創(chuàng)立50多年來(lái),一直為通信市場(chǎng)提供快速交付和嚴(yán)格公差的石英晶振和石英晶體振蕩器.FMI晶振,FMXMC3S2晶振,FMXM2C3S2118HJA-10.000M-CM晶振.

Parameter	Specification
Frequency Range	8.00 - 150.00 MHz
Operation Mode	See Operation Mode and ESR Table
Load Capacitance (CL)	18 pF Std, 6 - 60 pF and Series available
Frequency Tolerance	±30 ppm @ 25°C Std (See Cal. Tol. for Options)
Temperature Tolerance	±50 ppm Std (See Temp. Tol. for Options)
Operating Temperature	0 to +70°C Std. (See Temp. Range for Options)
Storage Temperature	-40 to +85°C / -55 to +125°C
Equivalent Series Resistance (ESR)	See Operation Mode and ESR Table
Shunt Capacitance (C0)	7 pF max.
Drive Level	10 µW typical, 300 µW max
Aging @ 25°C	±5 ppm per year max
Insulation Resistance	500MΩ min at 100V DC ±15V
Reflow Conditions	+260ºC ±10ºC for 10 sec max 2 reflows max

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。FMI晶振,FMXMC3S2晶振,FMXM2C3S2118HJA-10.000M-CM晶振.

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