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- 規(guī)格型號：57490649
- 頻率：24~54MHZ
- 尺寸：1.6*1.2mm
- 產(chǎn)品描述：Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振,Vectron國際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者，它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù)。產(chǎn)品包括晶體和...
Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振
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Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振,Vectron國際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者，它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù)。產(chǎn)品包括晶體和石英晶體振蕩器;頻率翻譯;時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;看到過濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過濾器和組件。美國威克創(chuàng)國際抯設(shè)施包含先進(jìn)的設(shè)備。由高頻基礎(chǔ)和SC切割晶體的先進(jìn)制造所突出的離散晶體技術(shù)…100級和10000級潔凈室設(shè)施生產(chǎn)前沿陶瓷包裝VCXO抯,時機(jī)復(fù)蘇和時鐘恢復(fù)單位,看到基于過濾器…為國家的藝術(shù)測試能力，包括一個專用的空間組件制造設(shè)施。Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振.
| Vectron晶振規(guī)格 | 單位 | VXN1晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 24~54MHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +90°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40°C ～ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l |
±15 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.9x9kj.com/ |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±15 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 5pF ,32PF | 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
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存儲事項(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
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