泛音晶體震動的機(jī)械波
來源：http://www.9x9kj.com 作者：帝國科技 2012年04月30
石英晶振基本技術(shù)要求與基本參數(shù) ,一顆石英晶體生產(chǎn)出來的成品都包含有那些參數(shù)與溫度負(fù)載等.
1、 規(guī)格頻率：晶振成品生產(chǎn)出規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在晶振產(chǎn)品外殼上。
2、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差偏差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許
偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，石英晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為
年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，
負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
13、 泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
1、 規(guī)格頻率：晶振成品生產(chǎn)出規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在晶振產(chǎn)品外殼上。
2、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差偏差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許
偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，石英晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為
年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，
負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
13、 泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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