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- 規格型號：46261097
- 頻率：9.6~40MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm詳細內容請瀏覽PDF文檔
- 產品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無...
KDS貼片溫補晶振,DSB221SDB晶振,通訊產品2520晶振
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KDS貼片溫補晶振,DSB221SDB晶振,通訊產品2520晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,DSB221SDB溫補振蕩器,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
| 規格參數 | DSB221SDB |
| 頻率范圍 | 9.6~40.0MHZ |
| 電源電壓 | +1.7V~+3.5V |
| 負載電容 | 10pF |
| 存儲溫度 | -40~+85℃ |
| 工作溫度 | -10~+70℃/-30~+85℃ |
| 溫度特征 |
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option) |
| 消費電流 | 2.9mA max [No Load] |
| 對稱性 | 45~55% [50% Vcc Level] |
| 輸出電壓 | Vcc×0.1 max / Vcc×0.9 min |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 相位抖動 | 1.5ps max (fo offset : 12KHz~5MHz) |
| 起動時間 | 2.0ms max |
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激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率.
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加.
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容.
近來由于污染排放總量管制受到應有重視,各種污染減量與管理機制的議題已陸續成為主管機關與企業間執行污染防制的重點,而大真空電子本身由于受到環保機關污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關環保議題的要求,亦訂定與規劃相關減量目標,全力保護有限的地球資源與環境.有鑒于環保意識抬頭,大真空電子多年來在環保工作上持續努力,期望藉由環境管理、自發且持續的改善,達到改善環境、減少環境沖擊的實質目的.本公司于2002年6月開始推行ISO 14001環境管理系統,持續改善整體環境并有助提高經營績效,同時強化內外銷競爭力與提升公司形象.我們承諾將會持續維護ISO 14001環境管何可能污染環境的因素,善盡社會責任.
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