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- 規(guī)格型號(hào)：13565179
- 頻率：80M-250MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地...
富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振，智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片，長(zhǎng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。
對(duì)于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
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石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片，長(zhǎng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。
對(duì)于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
2008年6月
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售kec和kec制的半導(dǎo)體。
10月
晶振廠家參展東京商務(wù)峰會(huì)。
開(kāi)始銷(xiāo)售led燈。
12月
開(kāi)始銷(xiāo)售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開(kāi)始銷(xiāo)售。
2013年1月
軟件委托開(kāi)發(fā)開(kāi)始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)始銷(xiāo)售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售kec和kec制的半導(dǎo)體。
10月
晶振廠家參展東京商務(wù)峰會(huì)。
開(kāi)始銷(xiāo)售led燈。
12月
開(kāi)始銷(xiāo)售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開(kāi)始銷(xiāo)售。
2013年1月
軟件委托開(kāi)發(fā)開(kāi)始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)始銷(xiāo)售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
| 石英晶振規(guī)格 | 單位 | FDO-500 5.0*3.2mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 80M-250MHZ | 晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 15pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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7-1:機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于貼片晶振晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于貼片晶振晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
高性能OSC晶振石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
差分晶體振蕩器的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把有源貼片晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
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