在性能穩(wěn)定的貼片晶振不斷涌現(xiàn)的今天,逆變器放大器的出現(xiàn),使得晶振本身的性能有著不斷發(fā)展的空間,同樣重要的是要指出，逆變器放大器的gm通常在器件與晶圓之間具有±5％至>±15％的擴展。因此，晶體諧振器設(shè)計必須適應(yīng)現(xiàn)實世界的容差效應(yīng)。Abracon在開發(fā)分別為2.0x1.2x0.6mm和3.2x1.5x0.9mm的ABS06W和ABS07W系列彎腳音叉晶體時考慮了上述特定變量。
為了獲得最佳的在線性能，Abracon對電極圖案進行了優(yōu)化，以降低C0的整體影響，使得最大保證（電極+封裝）電容在2.0x1.2x0.6mm封裝中為2.0pF，并且業(yè)界領(lǐng)先于1.30pF采用3215晶振封裝。
  憑借革命性的空白設(shè)計和加工技術(shù)，Abracon能夠在-40°C至+125°C的擴展工作溫度范圍內(nèi)顯著降低這些解決方案的ESR;同時將電鍍負(fù)荷降至行業(yè)領(lǐng)先3.0pF。Abracon采用獨特的生產(chǎn)調(diào)整技術(shù)，在室溫下收緊設(shè)定公差和ESR分布。
圖6A至6D描繪了Abracon最小化這些解決方案的ESR值的能力;同時將電鍍負(fù)載降低到行業(yè)領(lǐng)先3.0pF。應(yīng)該注意的是，大多數(shù)消費市場/物聯(lián)網(wǎng)終端解決方案的工作溫度范圍為-20°C至+70°C。在這個較窄的工作范圍內(nèi)，石英晶體諧振器具有極低的ESR值;利用當(dāng)今的節(jié)能硅片進一步提高內(nèi)部增益。   Abracon已采取措施確保在-40°C至+125°C的整個工作范圍內(nèi)實現(xiàn)最佳的ESR性能，并且是唯一能夠在更寬的工作溫度范圍內(nèi)保證ESR性能值的OEM。Abracon還認(rèn)識到需要采用這些設(shè)計，工藝和生產(chǎn)技術(shù)，并成功實施這些技術(shù)，以提供MHz范圍內(nèi)廣泛的物聯(lián)網(wǎng)優(yōu)化壓電石英晶體。由于一個軟件包無法滿足所有端到端形式因素的需求，因此Abracon開發(fā)了以下解決方案，以滿足全面的市場需求：   Abracon晶振能夠以業(yè)界領(lǐng)先的4.0pF電鍍電容制造這些解決方案，同時將ESR保持在最低可能值，確保這些解決方案不僅能夠與當(dāng)今的22nm或14nmFinFET技術(shù)良好匹配，更重要的是，這些解決方案經(jīng)過優(yōu)化，可確保最佳性能下一代解決方案包括5nm節(jié)點在不久的將來。圖8A至8D中的數(shù)據(jù)概述了Abracon的MHz，IoT優(yōu)化石英晶體在4.0pF負(fù)載下的優(yōu)異性能：   Abracon的能力：
•保證（電極+封裝電容）“C0”最大2.0pF
•精確鍍覆QuartzBlanks@4.0pF電鍍負(fù)載，小至1.6x1.2x0.4mm封裝
•同時降低晶體的ESR共同代表了商品價格優(yōu)化石英晶體性能的范式轉(zhuǎn)變。
這種能力使閉環(huán)增益裕度（GM）顯著增強，具有現(xiàn)有的22nm或14nm節(jié)點，并確保了下一代10nm，7nm甚至5nmFinFET硅的穩(wěn)健性能。下面比較在4.0pF和10.0pF下鍍有C0=2pF的晶體之間的比較清楚地概述了這個優(yōu)點。