規格型號：84249824
頻率：0.625~80MHZ
尺寸：3.2x2.5x0.9mm
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產品描述：貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發射基站等領域...

希華晶振,普通晶體振蕩器,OSC81晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售.從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務. 環保晶振產品應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛星通訊、車載系統、全球定位系統、個人電腦、無線通信及家用產品等,扮演基本信號源產生、傳遞、濾波等功能.持續致力于技術研究開發及品質落實扎根,營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠.

石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為X軸,短邊為Z軸,面為Y軸.對于圓片晶振,X、Z軸較難區分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的UM-1),會在X軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在Z軸上.保證SMD晶振產品的溫度特性.

晶振參數	單位	振蕩器OSC81	晶振需求標準
標準頻率范圍	f_nom	0.625~80MHZ	請確定你所需要的頻率,聯系我們代理商
儲存溫度	T_stg	-55℃~+100℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
電源電壓	VDC	+1.8V~+3.3V
精度	f_-l	±30ppm，±50ppm，±100ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	15pF	可指定
串聯電阻（ESR）	R₁	60kΩ 最大值
頻率老化	f_age	±1×10^-6/year Max.	+25±3°C, 第一年

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源石英晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統的適用性.

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞.

（3）請勿清洗開啟式晶振產品

（4）對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等.

（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現象.這將會負面影響產品的可靠性和質量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

電處理：

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英低功耗晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

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希華晶振,普通晶體振蕩器,OSC81晶振

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