精工晶振,石英晶振,VT-308晶振,32.768K插件晶振，精工SEIKO已被列入全球晶振行業十強企業名單中。2012年精工SEIKO集團在國內投資1530萬美元建設生產基地。更大的彌補了國內市場對高端晶體的需求。
    水晶振動子
    水晶振動子/MHz帯水晶振動子 ；
    音叉型水晶振動子/kHz帯水晶振動子；32.768KHZ晶振；
    基本波抑制オーバトーン水晶振動子/MHz帯水晶振動子；
    水晶振動子/MHz帯水晶振動子〈カーエレクトロニクス用〉；
    音叉型水晶振動子/kHz帯水晶振動子〈カーエレクトロニクス用
    日本精工晶振株式會社精工晶振自創業以來始終秉承著“永遠領先時代一步”的經營姿態，不斷推進著革新。我們牢記著這一自創業以來繼承至今的理念和“把握顧客感性”這一嶄新的理念，精工晶振制定了“讓時代與心靈悅動SEIKO晶振”的企業口號。依靠引領時代的技術實力和感性，今后一如既往地將創造未來的事業并推進下去，我們傳遞著精工晶振這樣的熱誠意志和躍動感。

    晶振使用說明
    支架：一個箱體，內裝一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發金屬電極的晶體條和用于連接的端子。
    頻率：每秒輸出波形的周期數。頻率單位是每秒周期數，或赫茲，縮寫為Hz。
    基本模式：晶體的主要模式。
    Overtone模式：根據指定的振蕩模式分配給奇數的頻率。標準的第三種泛音模式，其次是第五，第七，第九等。超越第九種泛音是不切實際的。這些頻率并不完全是基頻的三倍，五倍，七倍或九倍。
    頻率容差：室溫下與標稱頻率的允許偏差。頻率容差以百分比表示，典型值為±0.005％或百萬分率（ppm），±50ppm。
等效串聯電阻：晶體在工作諧振電路中表現出的阻抗值。
    驅動電平：電路中晶體的功耗量。驅動電平以毫瓦或微瓦表示。過高的驅動電平會導致長期的頻率漂移或晶體破裂。
    老化：相對頻率在一段時間內發生變化。這種頻率變化率通常是指數性的。通常情況下，老化在頭30天內計算，并計算長期（一年或十年）。最高的老化率在手術的第一周內發生，之后緩慢下降。
    頻率穩定度：與指定溫度范圍內（即0至+ 70°C）25°C時的測量頻率相比，最大允許頻率偏差。
    并聯電容：并聯電容（CO）是晶體端子之間的電容。它隨封裝而變化，通常它在SMD中較小（典型值為4pF），在含鉛晶體中為6pF。
    雜散：通常在工作模式之上的不需要的共振，以dB最大值指定。或ESR的次數。頻率范圍必須指定。例如，在F0±200kHz的頻率窗口中，雜散響應應至少為6dB或2.5×R。
    振動模式：石英晶體的振動模式隨晶體切割而變化，例如AT切割和BT切割的厚度剪切，或音叉晶體的彎曲模式（+ 5oX）切割，或CT，DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割，它可以在寬廣的溫度變化范圍內提供對稱的頻移。
    工作溫度范圍：晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍。
    負載電容：負載電容（CL）是振蕩器對兩個晶體端子的總電容量。當晶體在并聯模式下使用時，需要指定負載電容。

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